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Rohm Productdetail

1,5 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET - TT8U2

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | TT8U2TR
Status | Active
Gehäuse | TSST8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSST8

Package Size[mm]

3.0x1.9(t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Pch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-20

Drain Current ID[A]

-2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

0.105

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.08

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.18

Total gate charge Qg[nC]

6.7

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

-1.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

1.0

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

3.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform