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Rohm Productdetail

4 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET - US5U35

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | US5U35TR
Status | Active
Gehäuse | TUMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-353T

JEITA Package

SC-113CA

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.85Max.)

Number of terminal

5

Polarity

Pch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-45

Drain Current ID[A]

-0.7

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

1.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.0

Total gate charge Qg[nC]

1.7

Power Dissipation (PD)[W]

0.7

Drive Voltage[V]

-4.0

Reverse voltage VR (Diode) [V]

40.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.1

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

1.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform