Die zunehmende Verbreitung von Hybrid- und Elektroautos führt zu einer größeren Nachfrage nach hochleistungsfähigen und hocheffizienten Wechselrichtern, die Trench MOSFETs mit hoher Stromstärke erfordern. Die Elementstruktur verfügt über eine Rillenkonfiguration für eine hohe Stromdichte pro Flächeneinheit, sodass 300 A von einem einzigen Chip geleitet werden können.

Merkmale

• Monolithischer 300 A SiC Trench MOSFET