Übersicht
Full-SiC-Leistungsmodule mit SiC MOSFETs und SBDs.
Eine originale Struktur zur Absenkung elektrischer Felder sowie ein neuartiges Prüfverfahren dienen dazu, die Zuverlässigkeit beizubehalten, und ermöglichen die Entwicklung des ersten Massenproduktionssystems für Full-SiC-Leistungsmodule. Diese neuen Module enthalten SiC SBDs und MOSFETs, was einen Hochfrequenzbetrieb über 100 kHz ermöglicht (im Gegensatz zu herkömmlichen Produkten).
Hauptmerkmale: Reduzierung von Schaltverlusten um über 80 %
Voll-SiC-Leistungsmodule maximieren die Hochgeschwindigkeitsleistung. Das Ergebnis sind signifikant verringerte Schaltverluste im Vergleich zu konventionellen Si-IGBTs.
Merkmale
- Hochgeschwindigkeitsschalten
- Geringe Schaltverluste
- Sehr schnelle Erholung
- Niederinduktive Ausführung
Ermöglicht geringe Verluste auch bei Hochgeschwindigkeitsschalten
Schaltbild
Lineup
| Teilenr. | Absolute Grenzdaten (Ta = 25ºC) | Inductance (nH) |
Gehäuse | Ther mistor |
Internes Schaltkreisdiagramm※1 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (A) |
VGS (V) |
ID (V) [Tc= 60°C] |
Tj max (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) [AC 1min.] |
|||||
| BSM080D12P2C008 | 1200 | -6 ~22 |
80 | 175 | -40 ~ 125 |
2500 | 25 | C type 45.6 × 122 × 17mm |
- |  |
| BSM120D12P2C005 | 120 | |||||||||
| BSM180D12P3C007 | -4 ~22 |
180 | ||||||||
| BSM180D12P2E002 | -6 ~22 |
180 | 13 | E Type 62 × 152 × 17mm |
○ |  |
||||
| BSM300D12P2E001 | 300 | |||||||||
| ※2 BSM400D12P3G002 |
-4 ~22 |
400 | 10 | G Type 62 × 152 × 17mm |
||||||
| ※2 BSM600D12P3G001 |
600 | |||||||||
※1 Chopper types also offered. Please contact a ROHM sales office for details.
※2 In Entwicklung
■;Außenabmessungen
Evaluationsplatinen
Gate-Drive-Platinen für Voll-SiC-Leistungsmodule sind für Evaluierungszwecke verfügbar.
Merkmal:
- Integrierte Miller-Klemmfunktion
- Kompatibel mit Gate-Vorspannungen von 0 V bis +18 V und -3 V bis +18 V.
(Entfernung und Austausch mehrerer Komponenten ist erforderlich.)
| P/N | BW9499H-EVK-01 | BW9499H-EVK-02 | BW9499H-EVK-03 | BP59A8H-EVK-01 | BP59A8H-EVK-02 | ※BP59A8H-EVK-03 | ※BP59A8H-EVK-04 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC SiC-Modul |
BSM180D12P3C007 | BSM080D12P2C008 BSM120D12P2C005 |
BSM300D12P2E001 | BSM600D12 P3G001 |
BSM400D12 P3G002 |
||
 |
 |
||||||
| Aussehen |  |
 |
|||||
| Gate-Drive-IC | BM6101FV-C | ||||||
| RG EIN | 6.8Ω | 2.2Ω | 0.01Ω | 1.8Ω | 2.2Ω | ||
| RG AUS | 8.2Ω | 3.9Ω | 0.2Ω | 1.8Ω | 2.2Ω | ||
| CGS | - | 5.6nF | 5.6nF | - | - | ||
| Gate-Abschaltung | Minus | Null | Minus | Null | Minus | Minus | Minus |
| Empfohlene VGS | +18V / -2V | +18V / 0V | +18V / -3V | +18V / 0V | +18V / -3V | +18V / -2V | +18V / -2V |
※ In Entwicklung
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