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SiC SBD

"Full SiC" Leistungsmodule

SiC MOSFET

Leistungsmodul mit hoher Hitzebeständigkeit (Tj=200ºC)

ROHM SiC-MOSFET

SiC bieten geringere Schaltverluste und außerordentliche elektrische Eigenschaften im Hochtemperaturbereich als konventionelle Si-Halbleiterelemente.

Merkmale

Merkmale

  • Signifikant verringerter Leistungsverlust um 73 %
    (verglichen mit Si-IGBTs bei Betrieb bei 30 kHz)
  • Trägt zu stärkerer Miniaturisierung bei
  • Minimale Sperrverzögerung der Sperrdiode
Nennspannung Einschaltwiderstand
650V 120mΩ
1200V 45mΩ~450mΩ
1700V* 100mΩ~1150mΩ

Comparison of Loss

Turn OFF, ON-Resistance Temperature Characteristics

Reverse recovery characteristics of body diode

Eigenschaften der 3. Generation der SiC-Trench-MOSFETs

Eigenschaften der 3. Generation der SiC-Trench-MOSFETs

  • Einschaltwiderstand um 50 % verringert*
  • gegenüber planaren SiC-MOSFETs
    und Schaltleistung verbessert
    (ca. 35 % geringerer Eingangskapazität).

(*Vergleich mit gleich großem Chip)

Produktpalette

Rated Voltage ON-Resistance
650V 30mΩ
1200V 22mΩ*~40mΩ

*In Entwicklung

Beispiel einer Anwendungsschaltung

Circuit Example

Anwendungen

600 V Nennspannung ermöglicht Betrieb bei über 1000 V

  • Industrieanlagen
  • Wechselrichter für Klimaanlagen
  • Wechselrichter zur Solarstromerzeugung
  • Wechselrichter für Elektrofahrzeuge (EV)

application