SiC Schottky-Dioden sind ideal fur PFC-Schaltungen und Wechselrichter. Sie sind verfugbar fur Schaltungen mit hoher Spannungsfestigkeit und grosen Stromen. Hochgeschwindigkeitsschaltmerkmale minimieren Schaltverluste und verbessern die Betriebsfrequenz des Gerats.
Merkmale
- Ultrakurze Erholzeit
- Unterstutzt Hochgeschwindigkeitsschaltung
- Geringere Temperaturabhangigkeit
Schlusselwerte
| Nennspannung | Nennstrom |
|---|---|
| 650V | 6 A bis 100 A* |
| 1200V | 5 A bis 50 A |
| 1700V* | 10 A bis 50 A |
Hauptmerkmal 1 : Deutlich geringerer Schaltverlust
Ultrakurze Sperrerholzeit (mit Silikon unmoglich zu erreichen) ermoglicht Hochgeschwindigkeitsschaltung. Dies minimiert die Sperrerholzeit (Qrr), was den Schaltverlust betrachtlich reduziert und zu einer Miniaturisierung des Endprodukts beitragt.
Auserdem behalten SiC-Gerate unabhangig von der Temperatur einen konstanten trr bei, im Gegensatz zu herkommlichen Silikondioden mit kurzer Erholzeit, wo sich der trr mit der Temperatur erhoht. Dies ermoglicht das Fahren bei hohen Temperaturen ohne den Schaltverlust zu erhohen.
ROHM verbessert stetig seine Geräteprozesse und implementiert bei Generationswechseln geringere Vorwärtsspannung.
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■Erreicht mit der Weiterentwicklung der Generationen geringere Vorwärtsspannung
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■Geringe Vorwärtsspannung und Überspannungsschutz
Hauptmerkmal 2 : Stabile Temperatureigenschaften
SiC-Dioden weisen stabilere Temperatureigenschaften auf (d. h. Spannung in Vorwartsrichtung) im Vergleich zu silikonbasierten Geraten, sodass Parallelschaltungen ermoglicht und thermisches Durchgehen vermieden wird - im Gegensatz zu Si FRDs.
Anwendungen
- Schaltnetzteile
- PFC-Schaltungen (Power Factor Correction - Blindleistungskompensation) und andere
- Leistungskonditionierer zur Verwendung in Photovoltaikanlagen
- Wechselrichter und Ladegerate fur EV (Elektrofahrzeuge) / HEV (Hybrid-Elektrofahrzeuge)
- Motorantrieb
■ Beispiel: PFC-Schaltung
■ Beispiel: Automobil-Ladeschaltung
Hauptmerkmal 3: Ein vertikal integriertes Produktionssystem sichert hohe Qualitat und stabile Versorgung
Das Ziel Qualitat an erster Stelle" ermoglicht es ROHM, ein vertikal integriertes Herstellungssystem fur die SiC-Produktion zu etablieren. Neben der Ubernahme von SiCrystal, einem deutschen Wafer-Hersteller, im Jahr 2009 setzt die ROHM-Gruppe weiter Masnahmen um, um die Qualitat uber den gesamten Herstellungsprozess - von den Wafern zu den Gehausen - zu verbessern. Die weltbesten Herstellungstechnologien und eine stabile Produktionskapazitat bieten verbesserte Kostenwettbewerbsfahigkeit und gewahrleisten eine stabile Langzeitversorgung mit neuen Produkten.
