Aufbau eines Transistors

Klassifizierung nach der Form

Größe und Form von Transistoren sind bestimmt von dem Leistungsverbrauch und dem Montageverfahren. Allgemein werden Transistoren in Typen mit Anschlüssen und oberflächenmontierte Typen unterschieden.

Klassifizierung nach der Bauweise.

Diese Klassifizierung basiert auf den unterschiedlichen Funktionsmerkmalen. Man unterscheidet bipolare und unipolare Transistoren.

Bipolare Transistoren

Das Wort bipolar setzt sich aus zwei Teilen zusammen - wobei "bi" zwei bedeutet und "polar" für Polarititäten steht. In einem bipolaren Transistor wird der Strom über Löcher (positive Polarität) und Elektronen (negative Polarität) durch den Halbleiter geführt, der den Transistor bildet. Gemeinhin wird ein Transistor aus Silizium hergestellt und ist üblicherweise ein solcher Typ.

FETs

Das Kurzwort FET steht für Feld-Effekt-Transistor. FETs werden unterteilt in FETs mit Übergang, MOSFETs und GaAs-FETs. FETs mit Übergang werden häufiger in Analogschaltungen wie in Audiogeräten eingesetzt, während MOSFETs häufiger in Digitalschaltungen zum Einsatz kommen, wie u. a. in Mikrocomputern. GaAs FETs findet man zur Verstärkung von Mikrowellen u. a. in Rundfunksatellitenempfängern

Klassifizierung nach der zulässigen Energie.

Diese Methode zur Klassifizierung der Transistoren basiert im Wesentlichen auf der maximalen Leistungsangabe der Kollektorverteilungsleistung Pc. Eine grobe Unterteilung ist die in Transistoren zur Signalverarbeitung (kleine Signale) gegenüber Leistungstransistoren. Generell liegt beim Leistungstransistor die Energieverteilung bei 1 W oder darüber. ROHM kann sich rühmen, den größten Marktanteil im Bereich Transistoren zur Signalverarbeitung zu besitzen.

Transistoren zur Signalverarbeitung (kleine Signale)

Bei diesen Typ beträgt der maximale Kollektorstrom (IC(max)) ungefähr 500 mA oder darunter und die maximal verteilte Kollektorleistung (Pc(max)) beträgt weniger als 1 W. Man bezeichnet sie als Transistoren zur Signalverarbeitung (kleine Signale) im Unterschied zu Leistungstransistoren. Im Allgemeinen sind sie aus Epoxidharz geformt.

Leistungstransistoren

Im Allgemeinen hat ein Leistungstransistor einen Pc von 1 W oder darüber. Im Vergleich zu den Transistoren zur Signalverarbeitung zeichnen sich Leistungstransistoren durch einen großen maximalen Kollektorstrom und eine maximale Kollektorleistungsverteilung aus. Sie sind auch größer gebaut, um den Wärmeableitanforderungen zu entsprechen. Gemeinhin sind sie durch ein Metallgehäuse geschützt oder verfügen über Wärmeabstrahlrippen.

In Japan werden Transistoren "Stein" genannt. Das Wort Transistor setzt sich zusammen aus "Transfer" (Verschieben) und "Resistor" (Widerstand). Da Transistoren aus Silizium geformt sind und dies das Hauptelement aller Felsen und Steine auf der Erde bildet, bezeichnen viele Japaner den Transistor als Stein.

Klassifizierung nach der Integrationsart.

eben diskreten Transistortypen fertigt ROHM auch zusammengesetzte Transistoren, die mehrere Transistoren integrieren, um Kundenanforderungen zu erfüllen. Diese enthalten digitale Transistoren mit eingebauten Widerständen, Transistoranordnungen, in denen mehrere Transistoren zu einem Paket zusammengefasst sind, sowie Transistoreinheiten mit einfachen eingebauten Schaltungen.

Separate Transistoren

Es gibt einzeln verpackte Transistoren. Sie werden jedoch immer seltener, da der Großteil von Transistoren inzwischen in integrierten Schaltkreisen, zusammen mit Dioden, Widerständen, Kondensatoren und anderen elektronischen Bauteilen produziert werden, um komplette elektronische Schaltkreise herstellen zu können.

Verbundtransistoren

Ein Verbundtransistor (auch als Darlington-Transistor bekannt) ist eine Kombination von einem oder mehreren Transistoren (meist Bipolartransistoren), um die Stromverstärkung zu erhöhen.

*Digitale Transistoren

Transistoren mit eingebauten Widerständen. Hierbei handelt es sich um standardisierte Teile, die sehr häufig in der Schaltkreisauslegung eingesetzt werden.