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ROHMs neue EcoGaN™-Leistungsstufen-ICs reduzieren Abmessungen und Verlustleistung
31. August, 2023
BM3G0xxMUV-LB-Serie reduziert die Größe der Bauelemente um 99 % und senkt die Verlustleistung um 55 % beim Ersetzen von Silizium-MOSFETs
ROHM bietet mit der BM3G0xxMUV-LB-Serie Leistungsstufen-ICs mit integrierten 650-V-GaN-HEMTs und Gate-Treibern. Die Bauelemente eignen sich ideal für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen wie Datenservern und AC-Adaptern.
In den letzten Jahren wurden die Forderungen der Verbraucher und der Industrie nach Energieeinsparungen im Hinblick auf die Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft immer lauter. Es wird erwartet, dass GaN-HEMTs zu einer weiteren Miniaturisierung und einer verbesserten Effizienz der Leistungsumwandlung beitragen werden. Allerdings erfordert die im Vergleich zu Silizium-MOSFETs schwierige Handhabung der Gates den Einsatz spezieller Gate-Treiber. ROHM hat daher Leistungsstufen-ICs entwickelt, die GaN-HEMTs und Gate-Treiber in einem Gehäuse integrieren. Dabei werden bewährte Stromversorgungs- und Analogtechnologien verwendet, was die Bestückung erheblich vereinfacht.
Die BM3G0xxMUV-LB-Serie (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) bietet zusätzlich Funktionen und Peripheriekomponenten zur Maximierung der GaN-HEMT-Leistung in Verbindung mit 650-V-GaN-HEMTs – der nächsten Generation von Leistungsbauelementen. Die Merkmale der ROHM-Produkte wie ein großer Ansteuerungsspannungsbereich (2,5 V bis 30 V) gewährleisten die Kompatibilität mit praktisch allen Controller-ICs in Primärstromversorgungen und erleichtern den Ersatz bestehender Silizium-MOSFETs (Super Junction). Dies ermöglicht eine gleichzeitige Reduzierung der Bauelementabmessungen und der Verlustleistung um ca. 99% bzw. 55% und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Baugröße.
Isaac Lin, General Manager, PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.
„GaN-Bauelemente finden in der Industrie große Beachtung, da sie wesentlich zur Miniaturisierung und Energieeinsparung von Geräten beitragen. Die neuen Produkte von ROHM ermöglichen eine schnelle und sichere Gate-Ansteuerung unter Verwendung von ROHMs proprietärer Analogtechnologie. Diese Produkte werden den Einsatz von GaN-Leistungsbauelementen weiter fördern, der voraussichtlich zunehmen wird.“
Ein großer Steuerspannungsbereich (2,5 V bis 30 V), eine kurze Laufzeitverzögerung und eine schnelle Anlaufzeit sorgen für Kompatibilität mit praktisch allen Controller-ICs in Primärstromversorgungen.
Optimiert für Primärstromversorgungen (AC/DC, PFC-Schaltungen) in einer Vielzahl von Anwendungen. Verbraucher: Haushaltsgeräte, AC-Adapter, PCs, TV-Geräte, Kühlschränke, Klimaanlagen Industriell: Server, Geräte zur Büroautomatisierung
Informationen zum Online-Verkauf
Distributoren: DigiKey, Mouser und Farnell
Die Produkte und Evaluation-Boards werden auch von anderen Online-Distributoren angeboten. Verfügbarkeit: Seit Juni 2023
EcoGaN™ bezieht sich auf ROHMs neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren. Auf diese Weise tragen sie zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Das Ziel: den Stromverbrauch einer Anwendung zu senken, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu reduzieren.
*EcoGaN™ ist ein Warenzeichen oder eingetragenes Warenzeichen von ROHM Co., Ltd.
ROHMs neue EcoGaN™-Leistungsstufen-ICs reduzieren Abmessungen und Verlustleistung
BM3G0xxMUV-LB-Serie reduziert die Größe der Bauelemente um 99 % und senkt die Verlustleistung um 55 % beim Ersetzen von Silizium-MOSFETs
ROHM bietet mit der BM3G0xxMUV-LB-Serie Leistungsstufen-ICs mit integrierten 650-V-GaN-HEMTs und Gate-Treibern. Die Bauelemente eignen sich ideal für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen wie Datenservern und AC-Adaptern.
In den letzten Jahren wurden die Forderungen der Verbraucher und der Industrie nach Energieeinsparungen im Hinblick auf die Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft immer lauter. Es wird erwartet, dass GaN-HEMTs zu einer weiteren Miniaturisierung und einer verbesserten Effizienz der Leistungsumwandlung beitragen werden. Allerdings erfordert die im Vergleich zu Silizium-MOSFETs schwierige Handhabung der Gates den Einsatz spezieller Gate-Treiber. ROHM hat daher Leistungsstufen-ICs entwickelt, die GaN-HEMTs und Gate-Treiber in einem Gehäuse integrieren. Dabei werden bewährte Stromversorgungs- und Analogtechnologien verwendet, was die Bestückung erheblich vereinfacht.
Die BM3G0xxMUV-LB-Serie (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) bietet zusätzlich Funktionen und Peripheriekomponenten zur Maximierung der GaN-HEMT-Leistung in Verbindung mit 650-V-GaN-HEMTs – der nächsten Generation von Leistungsbauelementen. Die Merkmale der ROHM-Produkte wie ein großer Ansteuerungsspannungsbereich (2,5 V bis 30 V) gewährleisten die Kompatibilität mit praktisch allen Controller-ICs in Primärstromversorgungen und erleichtern den Ersatz bestehender Silizium-MOSFETs (Super Junction). Dies ermöglicht eine gleichzeitige Reduzierung der Bauelementabmessungen und der Verlustleistung um ca. 99% bzw. 55% und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Baugröße.
Isaac Lin, General Manager, PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center), Delta Electronics, Inc.
„GaN-Bauelemente finden in der Industrie große Beachtung, da sie wesentlich zur Miniaturisierung und Energieeinsparung von Geräten beitragen. Die neuen Produkte von ROHM ermöglichen eine schnelle und sichere Gate-Ansteuerung unter Verwendung von ROHMs proprietärer Analogtechnologie. Diese Produkte werden den Einsatz von GaN-Leistungsbauelementen weiter fördern, der voraussichtlich zunehmen wird.“
Produktspektrum
Ein großer Steuerspannungsbereich (2,5 V bis 30 V), eine kurze Laufzeitverzögerung und eine schnelle Anlaufzeit sorgen für Kompatibilität mit praktisch allen Controller-ICs in Primärstromversorgungen.
Sheet
Voltage
Max.[V]
Voltage
Range
[V]
Voltage
[V]
Operating
Current
Typ.[µA]
Quiescent
Current
Typ.[µA]
Typ.[mΩ]
Delay
Time
Typ.[ns]
Delay
Time
Typ.[ns]
Temp.
Range
[°C]
[mm]
to
+30
to
30
to
+105
VQFN046V8080
(8.0×8.0×1.0)
*: ID=0.5A, VIN=5V, Ta=25°C
Anwendungsbeispiele
Optimiert für Primärstromversorgungen (AC/DC, PFC-Schaltungen) in einer Vielzahl von Anwendungen.
Verbraucher: Haushaltsgeräte, AC-Adapter, PCs, TV-Geräte, Kühlschränke, Klimaanlagen
Industriell: Server, Geräte zur Büroautomatisierung
Informationen zum Online-Verkauf
Distributoren: DigiKey, Mouser und Farnell
Die Produkte und Evaluation-Boards werden auch von anderen Online-Distributoren angeboten.
Verfügbarkeit: Seit Juni 2023
Online Distributors
Produktinformation
Bauteilnummern:
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB
Bauteilnummern der Evaluation Boards:
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
EcoGaN™
EcoGaN™ bezieht sich auf ROHMs neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren. Auf diese Weise tragen sie zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Das Ziel: den Stromverbrauch einer Anwendung zu senken, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu reduzieren.
*EcoGaN™ ist ein Warenzeichen oder eingetragenes Warenzeichen von ROHM Co., Ltd.
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