Rohm Breadcrumb

Rohm Productdetail

Nicht für neue Designs empfohlen NPN-Transistor niedriges VCE(sat) + Schottky-Diode - US5L10

Empfohlene Produkte
* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | US5L10TR
Status | NRND
Gehäuse | TUMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-353T

JEITA Package

SC-113CA

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.85Max.)

Number of terminal

5

Polarity

NPN+Di

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

12.0

Collector current(continuous) IC1[A]

1.5

Collector Power dissipation PC[W]

0.4

hFE

270 to 680

hFE (Min.)

270

hFE (Max.)

680

hFE (Diode)

25

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.7

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

3.0

Mounting Style

Surface mount

Equivalent (Single Part)

2SD2652 / RB461F

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Eigenschaften:

· Kompakter komplexer Leistungsbipolartransistor
· Für DC/DC-Wandler
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform