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4,5 V Antriebs-Nch-MOSFET - RF4E080BN

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RF4E080BNTR
Status | Active
Gehäuse | HUML2020L8(Single)
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

DFN2020-8S

Package Size[mm]

2.0x2.0(t=0.6)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

8.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.0189

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0135

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0189

Total gate charge Qg[nC]

7.2

Power Dissipation (PD)[W]

2.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on - resistance.
・ High Power Small Mold Package (HUML2020L8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free