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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 8,5 A - RQ6E085BN

RQ6E085BN ist ein kleines Anbau-MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RQ6E085BNTCR
Status | Active
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Package Size[mm]

2.9x2.8(t=1.0max.)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

8.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.0139

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0111

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0139

Total gate charge Qg[nC]

16.6

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Kleiner Durchlasswiderstand
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT6)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform