RQ6E085BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 8,5 A
RQ6E085BN
RQ6E085BN
Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 8,5 A
RQ6E085BN ist ein kleines Anbau-MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-457T
JEITA Package
SC-95
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
6
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
8.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0139
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0111
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0139
Total gate charge Qg[nC]
16.6
Power Dissipation (PD)[W]
1.25
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.9x2.8 (t=1)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT6)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
