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2,5 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET - US6M2

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | US6M2TR
Status | Active
Gehäuse | TUMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-363T

JEITA Package

SC-113DA

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.85max.)

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.24

Total gate charge Qg[nC]

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 2,5-V-Motor
· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform