GNE1007TB (In Entwicklung)
EcoGaN™, 150V 80A DFN5060, E-mode Gallium-Nitrid (GaN) HEMT
GNE1007TB
GNE1007TB (In Entwicklung)
EcoGaN™, 150V 80A DFN5060, E-mode Gallium-Nitrid (GaN) HEMT
Der GNE1007TB ist ein 8V-GaN-HEMT mit 150V Gate-Source-Spannung. Er gehört zur EcoGaN™-Serie, die durch die optimale Nutzung des niedrigen Durchlasswiderstands und des Hochgeschwindigkeitsschaltens zur Effizienz der Leistungsumwandlung und zur Verringerung der Größe beiträgt. Der Wirkungsgrad der Stromversorgung beträgt 96,5 % oder mehr, selbst im Hochfrequenzbereich von 1MHz. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Bestückung.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails
Teilenummer | GNE1007TB
Status |
In Entwicklung
Gehäuse |
DFN5060
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
VDS [V]
150
IDS [A]
20
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
7
Qg [nC]
10.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
Eigenschaften:
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
