GaN-HEMT

GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das in Leistungsgeräten der nächsten Generation verwendet wird. Es wird zunehmend eingesetzt aufgrund seiner gegenüber Silizium-Bauelementen überlegenen Eigenschaften wie z. B. den hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften.
Aufgrund der besseren Schalteigenschaften und des geringeren Durchlasswiderstands als bei Silizium-Bauelementen ist zu erwarten, dass GaN-Bauelemente zu einem niedrigeren Stromverbrauch und einer stärkeren Miniaturisierung verschiedener Stromversorgungen sowie zur Miniaturisierung von Peripheriekomponenten beitragen werden.

150V GaN-HEMT

ROHM ist es gelungen, die Gate-Stehspannung (Gate-Source-Nennspannung) auf branchenführende 8 V zu erhöhen, wodurch sie sich ideal für den Einsatz in Stromversorgungsschaltungen für Industrieanlagen wie Basisstationen und Datenzentren sowie IoT-Kommunikationsgeräte eignen.

650V-GaN-HEMT

Die 650-V-GaN-HEMT von ROHM haben die branchenweit höchste FOM-Klasse (Figure of Merit) erreicht. Im Vergleich zu herkömmlichen GaN-Bauelementen ermöglichen diese Produkte eine erhebliche Reduzierung der Schaltverluste und tragen zu einer höheren Effizienz in einer Vielzahl von Stromversorgungssystemen bei.

Auch bei der EcoGaN™-Produktreihe von GaN-Bauteilen, die zu größeren Energieeinsparungen und Miniaturisierung beitragen, arbeitet ROHM weiter an der Verbesserung der Geräteleistung. Bei der Entwicklung von ROHM-Produkten werden wir auch die gemeinsame Entwicklung durch strategische Partnerschaften fördern, um zur Lösung gesellschaftlicher Probleme beizutragen, indem wir helfen, Anwendungen effizienter und kompakter zu gestalten.
* EcoGaN™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.