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1,2 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET - VT6M1

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | VT6M1T2CR
Status | Active
Gehäuse | VMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

VMT6

JEITA Package

SC-105B

Package Size[mm]

1.2x1.2(t=0.5)

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.)

6.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)

4.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

2.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

6.0

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,2 V)
· N-Kanal+P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform