EM6M2
Komplementärer MOSFET mit 1,2 V-Ansteuerung
EM6M2
Komplementärer MOSFET mit 1,2 V-Ansteuerung
MOSFETs komplexen Typs (P+N) werden durch Mikroprozessortechnologien zu Bauteilen mit niedrigem Einschaltwiderstand gemacht, die für eine Vielzahl von Anwendungen nützlich sind. Ein breites Sortiment, das kompakte Typen, Hochleistungstypen und komplexe Typen abdeckt, erfüllt vielfältige Marktanforderungen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
Eigenschaften:
· Niederspannungsansteuerung (1,2 V)· Komplementärer Kleinsignal-MOSFET
· Kleines Gehäuse für Oberflächenmontage
· Bleifrei/RoHS-konform
