GaN HEMT Endstufen-ICs

Die GaN-HEMT-Leistungsstufen-ICs von ROHM bieten eine optimale Lösung für alle elektronischen Systeme, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern.
Im Gehäuse sind sowohl der GaN-HEMT als auch ein Gate-Treiber, der zur Maximierung der Leistung des GaN-HEMTs optimiert ist, enthalten. Mit einem breiten Eingangsspannungsbereich von 2,5V bis 30V kann er mit jedem Controller-IC kombiniert werden.
Dieser IC ist so konzipiert, dass er sich an die wichtigsten vorhandenen Controller anpasst, so dass er auch als Ersatz für herkömmliche diskrete Leistungsschalter, wie z.B. Super Junction MOSFET, verwendet werden kann.

ROHM plant derzeit die Markteinführung von Nachfolgeprodukten der BM3GxxxMUV-LB-Serie. Diese Produkte werden pinkompatibel zu den bisherigen Modellen sein, unterscheiden sich jedoch in ihren elektrischen Eigenschaften, einschließlich des Einschaltwiderstands (RDS(on)). Die detaillierten Produktspezifikationen und der Zeitpunkt der Markteinführung stehen noch nicht fest. Wenn Sie den Einsatz dieser Nachfolgeprodukte in Betracht ziehen, kontaktieren Sie uns bitte. Wir informieren Sie individuell über die geplanten Spezifikationen, die Kompatibilität und die Eignung für Ihre Anwendung.

Auch bei der EcoGaN™-Produktreihe von GaN-Bauteilen, die zu größeren Energieeinsparungen und Miniaturisierung beitragen, arbeitet ROHM weiter an der Verbesserung der Geräteleistung. Bei der Entwicklung von ROHM-Produkten werden wir auch die gemeinsame Entwicklung durch strategische Partnerschaften fördern, um zur Lösung gesellschaftlicher Probleme beizutragen, indem wir helfen, Anwendungen effizienter und kompakter zu gestalten.
* EcoGaN™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.