Feldstopp-Trench-IGBT

ROHM Semiconductor bietet eine breite Palette an automobiltauglichen Field Stop Trench IGBTs und ermöglicht so die Auswahl des richtigen Produkts je nach den gestellten Anforderungen. Durch den Einsatz der einzigartigen Trench-Gate- und Thin-Wafer-Technologien werden niedrige V_CE(sat) mit reduziertem Schaltverlust erreicht.
Somit tragen sie zu höheren Wirkungsgraden und gesteigerten Energieeinsparungen bei einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen bei.