SiC-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-(SiC-)Bauelemente haben sich aufgrund ihres niedrigen Einschaltwiderstands und ihrer im Vergleich zu Silizium überlegenen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochspannungsleistung als der geeignetste Kandidat für verlustarme Halbleiter der nächsten Generation erwiesen. SiC ermöglicht es Entwicklern auch, weniger Komponenten zu verwenden, wodurch die Komplexität des Designs weiter verringert wird.

Der niedrige ON-Widerstand von SiC-Bauelementen trägt zu einem deutlich geringeren Energieverbrauch bei und ermöglicht es den Anwendern, umweltfreundliche Produkte und Systeme zu entwickeln, die den CO2-Ausstoß verringern.

ROHM ist führend in der Entwicklung von SiC-Leistungsbauelementen und -modulen, die verbesserte Energieeinsparungen bei Anwendungen in einer Reihe von Branchen bieten.

Die SiC-MOSFETs der Generation 4 von ROHM

Die SiC-MOSFETs der Generation 4 von ROHM tragen zu einer entscheidenen Verringerung der Systemgröße und des Stromverbrauchs in einer Vielzahl von Anwendungen bei - einschließlich Antriebsumrichtern für Elektrofahrzeuge und Schaltnetzteilen. Beispielsweise kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn die SiC-MOSFETs der Generation 4 in den Antriebsumrichtern eingesetzt werden (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauch Test, einem internationalen Standard).

Anwendungen der SiC-Technologie

Wir haben den Nutzen und die Vorteile der SiC-MOSFETs der Generation 4 durch folgende Maßnahmen belegt:

  • experimenteller Test mit einem DC/DC-Abwärtswandler
  • simulierter Betriebstest mit einem EV-Antriebsumrichter
  • experimenteller Test mit einer Totem-Pole-PFC-Schaltung

Produktspektrum

SiC ergänzende Produkte

ROHM entwickelt Gate-Treiber, die für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen optimiert sind. Der Einsatz in Kombination mit SiC-Bauelementen ermöglicht eine Maximierung der Eigenschaften. ROHM bietet auch ICs an, die SiC-Bauelemente integrieren, wie z. B. AC/DC-Wandler-Steuer-ICs, die mit SiC-MOSFETs ausgestattet sind.

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