SiC-Leistungshalbleiter
Siliziumkarbid-(SiC-)Bauelemente haben sich aufgrund ihres niedrigen Einschaltwiderstands und ihrer im Vergleich zu Silizium überlegenen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochspannungsleistung als der geeignetste Kandidat für verlustarme Halbleiter der nächsten Generation erwiesen. SiC ermöglicht es Entwicklern auch, weniger Komponenten zu verwenden, wodurch die Komplexität des Designs weiter verringert wird.
Der niedrige ON-Widerstand von SiC-Bauelementen trägt zu einem deutlich geringeren Energieverbrauch bei und ermöglicht es den Anwendern, umweltfreundliche Produkte und Systeme zu entwickeln, die den CO2-Ausstoß verringern.
ROHM ist führend in der Entwicklung von SiC-Leistungsbauelementen und -modulen, die verbesserte Energieeinsparungen bei Anwendungen in einer Reihe von Branchen bieten.
EcoSiC™ ist ein Markenzeichen für Bauelemente, die Siliziumkarbid (SiC) verwenden. Im Bereich der Leistungselektronik steht SiC wegen seiner höheren Leistungsfähigkeit im Vergleich zu Silizium (Si) im Mittelpunkt des Interesses. ROHM entwickelt unabhängig Technologien, die für die Weiterentwicklung von SiC entscheidend sind, von der Wafer-Herstellung und den Produktionsprozessen bis hin zum Packaging und Methoden zur Qualitätskontrolle. Gleichzeitig hat ROHM ein integriertes Produktionssystem für den gesamten Herstellungsprozess aufgebaut, das die Position des Unternehmens als führender SiC-Lieferant untermauert.
* EcoSiC™ sind Marken oder eingetragene Marken von ROHM Co., Ltd.
SiC Power Devices Brochureneues TRCDRIVE pack™ mit 2-in-1 SiC-Modulen
TRCDRIVE pack™ ist ein Markenzeichen für SiC-Module von ROHM, die speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen entwickelt wurden und deren Größe durch eine einzigartige Struktur zur Maximierung der Wärmeableitfläche reduzieren. Die Integration von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation mit niedrigem Einschaltwiderstand führt zu einer branchenführenden Leistungsdichte, die 1,5 Mal höher ist als bei herkömmlichen SiC-Modulen. Gleichzeitig trägt sie erheblich zur Miniaturisierung von Wechselrichtern für xEVs bei.
* TRCDRIVE pack™ sind Marken oder eingetragene Marken von ROHM Co., Ltd.
Die SiC-MOSFETs der Generation 4 von ROHM
Die SiC-MOSFETs der Generation 4 von ROHM tragen zu einer entscheidenen Verringerung der Systemgröße und des Stromverbrauchs in einer Vielzahl von Anwendungen bei - einschließlich Antriebsumrichtern für Elektrofahrzeuge und Schaltnetzteilen. Beispielsweise kann der Stromverbrauch im Vergleich zu IGBT-Lösungen um 6 % gesenkt werden, indem der Wirkungsgrad vor allem im Bereich hoher Drehmomente und niedriger Drehzahlen deutlich verbessert wird, wenn die SiC-MOSFETs der Generation 4 in den Antriebsumrichtern eingesetzt werden (berechnet nach dem WLTC-Kraftstoffverbrauch Test, einem internationalen Standard).
Anwendungen der SiC-Technologie
Case studies and projects with customers using ROHM devices are shown here.
Wir haben den Nutzen und die Vorteile der SiC-MOSFETs der Generation 4 durch folgende Maßnahmen belegt:
- experimenteller Test mit einem DC/DC-Abwärtswandler
- simulierter Betriebstest mit einem EV-Antriebsumrichter
- experimenteller Test mit einer Totem-Pole-PFC-Schaltung
Produktspektrum
SiC ergänzende Produkte
ROHM entwickelt Gate-Treiber, die für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen optimiert sind. Der Einsatz in Kombination mit SiC-Bauelementen ermöglicht eine Maximierung der Eigenschaften. ROHM bietet auch ICs an, die SiC-Bauelemente integrieren, wie z. B. AC/DC-Wandler-Steuer-ICs, die mit SiC-MOSFETs ausgestattet sind.
