SiC-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-(SiC-)Bauelemente haben sich aufgrund ihres niedrigen Einschaltwiderstands und ihrer im Vergleich zu Silizium überlegenen Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochspannungsleistung als der geeignetste Kandidat für verlustarme Halbleiter der nächsten Generation erwiesen. SiC ermöglicht es Entwicklern auch, weniger Komponenten zu verwenden, wodurch die Komplexität des Designs weiter verringert wird.

ROHM ist führend in der Entwicklung von SiC-Leistungsbauelementen und -modulen, die verbesserte Energieeinsparungen bei Anwendungen in einer Reihe von Branchen bieten.

Anwendungen der SiC-Technologie:

  • Hocheffiziente Wechselrichter in DC/AC-Wandlern für Solar- und Windenergie
  • Leistungswandler für Elektro- und Hybridfahrzeuge
  • Wechselrichter für Industrieanlagen und Klimaanlagen
  • Hochspannungsschalter für Röntgengeneratoren
  • Dünnfilm-Beschichtungsverfahren

ROHM SiC-Produkte

Zu ROHMs breitem Portfolio gehören SiC-Schottky-Dioden (SBDs), SiC-MOSFETs, Voll-SiC-Leistungsmodule (Integration von SiC-SBDs und MOSFETs) und Leistungsmodule mit hoher Wärmebeständigkeit. Diese kompakten und effizienten Halbleiterbauelemente haben das Potenzial, die Größe des Endprodukts erheblich zu reduzieren.

Branchenführende SiC-Leistungs- und Gate-Treiber-Lösungen

Erfahren Sie mehr über Siliziumkarbid-Halbleiter und warum sie aufgrund der inhärenten Vorteile, die SiC gegenüber anderen Materialien hat, das vielversprechendste Material für den Einsatz in der Leistungselektronik sind.

Ihre geringeren Verluste, höhere Spannungsfestigkeit, schnellere Schaltfähigkeit und überlegenen thermischen Eigenschaften ermöglichen einfachere Designs, die effizienter, kleiner und leichter sind als Alternativen auf Siliziumbasis.

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