SiC-MOSFET, Bare Die

Prinzipiell entsteht beim Schalten kein Tailstrom, wodurch ein schnellerer Betrieb ermöglicht wird und Schaltverluste reduziert werden. Zudem werden dank des niedrigen Einschaltwiderstands und der kompakten Chipgröße eine niedrige elektrische Kapazität sowie eine niedrige Gate-Ladung erzielt. SiC weist einen nur geringen Einschaltwiderstand auf und ermöglicht eine bessere Miniaturisierung sowie Energieeinsparungen durch die Si-Halbleiter, in denen sich der Einschaltwiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.
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