SiC-Schottky-Dioden

Die gesamte kapazitive Last (Qc) ist gering, wodurch Schaltverluste reduziert werden und eine hohe Schaltgeschwindigkeit ermöglicht wird. Im Gegensatz zu Si-basierten Dioden mit schneller Erholzeit, bei denen sich die Sperrerholzeit mit steigender Temperatur verlängert, bleiben die Eigenschaften bei Halbleitern mit Siliziumkarbid (SiC) erhalten, wodurch eine bessere Leistung erzielt wird.
SiC-Schottky-Dioden
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