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Mit Evaluation Boards ist es einfach, ROHMs breites Portfolio an SiC-Schottky-Dioden (SBDs), SiC-MOSFETs , sowie SiC-Leistungsmodulen (die SiC-SBDs und MOSFETs integrieren) zu evaluieren.
Diese kompakten und effizienten Halbleiterbauelemente reduzieren die Größe des Endprodukts erheblich. In Verbindung mit einem Evaluation Board können sie auch dazu verwendet werden, Prototyp-Anwendungen zu realisieren und die Entwicklung von Sets zu initiieren.
Evaluation Board Sortiment
Kategorie | SiC Produkt | Bild | Artikelnummer. | Hersteller | Produkt-Details | Benutzerhandbuch | Board erwerben | |
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SiC-MOS | Evaluation Board | SCT3XXX-Serie Trench(3G) TO-247 3L/4L | NEU P02SCT3040KR-EVK-001 |
ROHM | Details | Benutzerhandbuch | Online-Distributoren | |
Produkt-Spezifikationen | ||||||||
SiC Module | Treiber-Board | BSM-Serie Planar (2G)(1200V, E / G type) | BSMGD2G12D24-EVK001 | - | Benutzerhandbuch | Anfragen | ||
BSM-Serie Trench(3G/4G) (1200V,E/G type) | BSMGD3G12D24-EVK001 | - | Benutzerhandbuch | Anfragen | ||||
BSM-Series (1200V,C type) | BSMGD3C12D24-EVK001 | - | Benutzerhandbuch | Anfragen | ||||
BSM series (1700V,E type) | BSMGD2G17D24-EVK001 | Benutzerhandbuch | Anfragen | |||||
BSM series (1200V,1700V E/G type) | 2EG-B series | TAMURA | Tamura Manufacturing’s Website | |||||
Snubber Modul | BSM-Serie (1200V, C type) | MGSM1D72J2-145MH26 | ROHM | - | Anfragen | |||
BSM-Serie (1200V, E / G type) | MGSM1D72J2-145MH16 | - | ||||||
BSM250 (1700V, E type) | MGSM1D72J3-934MH93 | - | ||||||
AC/DC | Evaluation Board | SCT2H12NZ | BD7682FJ-LB-EVK-402 | ROHM | Details | Applikationsschrift | Online-Distributoren |
Evaluation Board Übersicht
P02SCT3040KR-EVK-001
- Zur Evaluierung von ROHMsSCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
Ermöglicht die Evaluierung anderer ROHM SiC-MOSFETs durch Austauschen der Bauteile und Anpassung von Schaltungsparametern - Zusätzlich zum TO-247-4L-Gehäuse gibt es Durchgangslöcher für TO-247-3L, die es ermöglichen, vergleichende Evaluierungen auf derselben Platine durchzuführen.
- Nur eine Stromversorgung (+12V Betrieb) erforderlich
- Unterstützt Doppelpulstests bis zu 150A und Schaltfrequenzen bis zu 500kHz
- Kompatibel mit einer Vielzahl von Stromversorgungs-Topologien (Buck/Boost/Half Bridge)
- Integrierte isolierte Stromversorgung für den Gate-Treiber. Gate-Spannung einstellbar über einen variablen Widerstand (+12V bis +23V)
- Jumper-Pins ermöglichen das Umschalten zwischen negativer Ausschaltspannung und Ausschalten mit 0V.
- Enthält Überstromschutz (DESAT, OCP) zusammen mit einer Funktion zur Verhinderung des gleichzeitigen Einschaltens beider MOSFETs in der Halbbrücke
Evaluation Board für AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC mit eingebautem 1700V-SiC-MOSFET
Optimiert für den Einsatz für Hilfssspanungsversorgungen in industriellen Anwendungen, integriert dieses Evaluierungsboard ROHMs AC/DC-Wandler-Steuer-IC und einen 1700V-SiC-MOSFET.
BD7682FJ-LB-EVK-402
- AC/DC Evaluation Board mit SiC-MOSFET-Treiber (Sperrwandler)
- Enthält den SCT2H12NZ 1700V-SiC-MOSFET von ROHM
- Enthält ROHMs BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC
- 3-phasiger 400 bis 690VAC Eingang, 24V/1A Ausgang
Applikationsschriften
- Basics and Design Guidelines for Gate Drive Circuits
- Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
- Two-Resistor Model for Thermal Simulation
- Method for Monitoring Switching Waveform
- How to Use Thermal Models
- What is a Thermal Model?
- Precautions During Gate-Source Voltage Measurement
- Improving Switching Loss by Driver Source
- Snubber Circuit Design Methods for SiC MOSFETs
- Gate-Source Voltage Surge Suppression Methods
- Gate-Source Voltage Behavior in a Bridge Configuration
Produktsuche
Verwandte Links