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Mit Evaluation Boards ist es einfach, ROHMs breites Portfolio an SiC-Schottky-Dioden (SBDs), SiC-MOSFETs , sowie SiC-Leistungsmodulen (die SiC-SBDs und MOSFETs integrieren) zu evaluieren.

Diese kompakten und effizienten Halbleiterbauelemente reduzieren die Größe des Endprodukts erheblich. In Verbindung mit einem Evaluation Board können sie auch dazu verwendet werden, Prototyp-Anwendungen zu realisieren und die Entwicklung von Sets zu initiieren.

Evaluation Board Sortiment

Kategorie SiC Produkt Bild Artikelnummer. Hersteller Produkt-Details Benutzerhandbuch Board erwerben
SiC-MOS Evaluation Board SCT3XXX-Serie Trench(3G) TO-247 3L/4L NEU
P02SCT3040KR-EVK-001
ROHM Details Benutzerhandbuch Online-Distributoren
Produkt-Spezifikationen
SCT2XXX-Serie Planar(2G) TO-247 3L P01SCT2080KE-EVK-001 Details Anfragen
SiC Module Treiber-Board BSM-Serie Planar (2G)(1200V, E / G type) NEU
BSMGD2G12D24-EVK001
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BSM-Serie Trench(3G) (1200V,E/G type) NEU
BSMGD3G12D24-EVK001
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BSM-Series (1200V,C type) NEU
BSMGD3C12D24-EVK001
- Benutzerhandbuch Anfragen
BSM-Serie (1200V, C / E / G type) 2DU series TAMURA Website von Tamura Manufacturing
BSM-Serie (1200V,E/G type) Core-Treiber:
2ASC-12A1HP
Adapter-Board:
EDCA1
AgileSwitch Website von AgileSwitch
BSM-Serie (1200V,C type) Core-Treiber:
2ASC-12A1HP
Adapter-Board:
EDCA2
Snubber Modul BSM-Serie (1200V, C type) EVSM1D72J2-145MH26 ROHM - Anfragen
BSM-Serie (1200V, E / G type) EVSM1D72J2-145MH16 -
BSM250 (1700V, E type) EVSM1D72J3-934MH93 -
AC/DC Evaluation Board SCT2H12NZ BD7682FJ-LB-EVK-402 ROHM Details Applikationsschrift Online-Distributoren

Evaluation Board Übersicht

P02SCT3040KR-EVK-001

  • Zur Evaluierung von ROHMsSCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
    Ermöglicht die Evaluierung anderer ROHM SiC-MOSFETs durch Austauschen der Bauteile und Anpassung von Schaltungsparametern
  • Zusätzlich zum TO-247-4L-Gehäuse gibt es Durchgangslöcher für TO-247-3L, die es ermöglichen, vergleichende Evaluierungen auf derselben Platine durchzuführen.
  • Nur eine Stromversorgung (+12V Betrieb) erforderlich
  • Unterstützt Doppelpulstests bis zu 150A und Schaltfrequenzen bis zu 500kHz
  • Kompatibel mit einer Vielzahl von Stromversorgungs-Topologien (Buck/Boost/Half Bridge)
  • Integrierte isolierte Stromversorgung für den Gate-Treiber. Gate-Spannung einstellbar über einen variablen Widerstand (+12V bis +23V)
  • Jumper-Pins ermöglichen das Umschalten zwischen negativer Ausschaltspannung und Ausschalten mit 0V.
  • Enthält Überstromschutz (DESAT, OCP) zusammen mit einer Funktion zur Verhinderung des gleichzeitigen Einschaltens beider MOSFETs in der Halbbrücke

 

P02SCT3040KR-EVK-001

P01SCT2080KE-EVK-001

  • Optimiert für die Evaluierung von ROHMs SCT2080KE (1.200 V/80 mΩ); unterstützt andere ROHM SiC MOSFETs durch Austauschen der Bauteile und Anpassung von Schaltungsparametern.
  • Kann MOSFETs und IGBTs bei 1200V/5A (falls eine Induktivität integriert ist), 100kHz evaluieren
  • Erzeugt positive und negative Vorspannungen für die Gate-Versorgung des oberen und unteren SiC MOSFET aus einem einzigen 12VDC-System
  • Erzeugt ein internes Gate-Signal für Doppelpulstests
  • Ermöglicht die Evaluierung von DC/DC-Wandlern über das Signal der externen Versorgung
  • Schwungrad ermöglicht Auswahl von MOS-Body-Dioden, externen Dioden und Rückstrom
  • ※falls eine Induktivität integriert ist

 

P01SCT2080KE-EVK-001

Evaluation Board für AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC mit eingebautem 1700V-SiC-MOSFET

Optimiert für den Einsatz für Hilfssspanungsversorgungen in industriellen Anwendungen, integriert dieses Evaluierungsboard ROHMs AC/DC-Wandler-Steuer-IC und einen 1700V-SiC-MOSFET.

BD7682FJ-LB-EVK-402

  • AC/DC Evaluation Board mit SiC-MOSFET-Treiber (Sperrwandler)
  • Enthält den SCT2H12NZ 1700V-SiC-MOSFET von ROHM
  • Enthält ROHMs BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuerungs-IC
  • 3-phasiger 400 bis 690VAC Eingang, 24V/1A Ausgang

 

BD7682FJ-LB-EVK-402

Applikationsschriften

What is a Thermal Model?
What is a Thermal Model?
Precautions During Gate-Source Voltage Measurement
Precautions During Gate-Source Voltage Measurement
Improving Switching Loss by Driver Source
Improving Switching Loss by Driver Source
Snubber Circuit Design Methods for SiC MOSFETs
Snubber Circuit Design Methods for SiC MOSFETs
Gate-Source Voltage Surge Suppression Methods
Gate-Source Voltage Surge Suppression Methods
Gate-Source Voltage Behavior in a Bridge Configuration
Gate-Source Voltage Behavior in a Bridge Configuration

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