SCT2H12NZ
SiC-MOSFET

N-Kanal-Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungs-MOSFET (1700 V, 3,7 A).

Von ROHM empfohlene Produkte

SCT2H12NZ (1700-V-SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler-IC) Evaluationsplatine
Anwendungshinweis (PDF: 1,9 MB), Präsentationsdokument (PDF: 1,0 MB)

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT2H12NZGC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-3PFM
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150.0

Drain Current[A]

3.7

Total Power Dissipation[W]

35

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Unterstützende Informationen

 

Übersicht

package

SiC rückt dank seiner überlegenen Materialeigenschaften gegenüber Silizium als ein Verbindungshalbleiter der nächsten Generation in den Fokus des Interesses.
Bei Hilfsstromversorgungen, die in Hochspannungs- und Hochleistungsindustrieanlagen Einsatz finden, werden in der Regel Silizium-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit Hochspannung (>1000V) verwendet. Durch ihren Austausch durch SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren kann die Wärmeerzeugung erheblich reduziert werden, wodurch Außenteile wie Kühlkörper überflüssig werden.
ROHM hat vor kurzem seine beachtliche Produktpalette erweitert. Neu im Angebot sind 1700V SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren zusammen mit einer Evaluierungskarte, mit der Vorgänge wie Leistungsüberprüfung und Anwendungsentwicklung vereinfacht werden.

Evaluierungskarte

Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ. Ebenso erhältlich ist nun eine Evaluierungskarte (BD7682FJ-LB-EVK-402), die beide Produkte miteinander verbindet.

Stromversorgung-Evaluierungskarteï BD7682FJ-LB-EVK-402ï

Hauptmerkmale 1:Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen.

Verglichen mit 1500V Silizium-MOSFETs, die bei Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen verwendet werden, bieten die hochleistenden SiC-MOSFETs aus dem Hause ROHM 8x geringere On-Widerstandswerte (1.15Ω) sowie eine Stehspannung in Höhe von 1700V. Zusätzlich bietet das Paket TO-3PFM die erforderliche Kriechstrecke (d.h. die gemessene Entfernung entlang der Oberfläche des Isolators), die für Industrieanlagen vorgeschrieben ist.

Vergleich von On-Widerstandswerten Anwendungsbeispiel

Hauptmerkmale 2:Durch die Kombination mit dem geeigneten IC von ROHM erzielen Sie eine sogar noch höhere Effizienz

AC/DC-Wandler - Effizienzvergleich: Si gegenüber SiC

Durch den Einsatz der BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuer-IC wird der Wirkungsgrad um bis zu 6% optimiert und gleichzeitig die erzeugte Wärme reduziert. Hierdurch lässt sich die Größe der wärmeableitenden Komponenten reduzieren.

Produktpalette

Teilenr. Gehäuse Polarität VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ

TO-3PFMTO-3PFM

Nch 1700V 3,7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY

TO-3PFMTO-268-2L
In
Bearbeitung

4A 44W
☆SCT2750NY 5,9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆:In Entwicklung

Evaluation
Board

 
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-302
    • BD7682FJ is an AC/DC quasi-resonant flyback controller IC from ROHM Semiconductor and offers an Auxiliary Power Supply Solution if combined with the 1700 V SiC MOSFET (SCT2H12NZ). The BD7682FJ and SCT2H12NZ combined together have been used to develop an isolated 100 W 24 V output auxiliary power solution with a very accurate voltage regulation.

  • User's Guide Buy
    • Evaluation Board
    • BD7682FJ-LB-EVK-402
    • BD7682FJ-LB-EVK-402 evaluation board outputs 24 V voltage from the input of 300 Vdc to 900 Vdc. The output current supplies up to 1 A. The BD768xFJ-LB series are Quasi-Resonant switching AC/DC converter for driving SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Using external switching MOSFET and current detection resistors provides a lot of flexibility in the design.

  • User's Guide Buy

Ressourcen entwerfen

 

Design Tools

Simulations (Login Required)

ROHM Solution Simulator is a new web-based electronic circuit simulation tool that can carry out a variety of simulations, from initial development that involves component selection and individual device verification to the system-level verification stage. This makes it possible to quickly and easily implement complete circuit verification of ROHM power devices and ICs, in simulation circuits under close to actual conditions, significantly reducing application development efforts.
  • A-001. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A BCM
  • A-002. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM
  • A-003. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM Synchronous FETs
  • A-004. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM
  • A-005. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM Synchronous FETs
  • A-006. Interleaved PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM
  • A-008. Interleaved PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM
  • A-012. Diode-Bridgeless PFC VIN=200V, IIN=2.5A BCM
  • C006. DC-DC Converter, Buck Converter Vo=250V Io=20A
  • C007. DC-DC Converter, Buck Converter 2-Phase Vo=250V Io=40A
  • C010. DC-DC Converter, Flyback Converter VIN=800V Vo=25V Io=10A
  • C011. DC-DC Converter, Forward Converter VIN=500V Vo=25V Io=10A
  • C012. DC-DC Converter, LLC Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • C013. DC-DC Converter, Phase-Shift Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • C014. DC-DC Converter, Quasi-Resonant Converter VIN=800V Vo=25 Io=10A

Models

Characteristics Data