IGBT

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von ROHM tragen zu einer höheren Effizienz und Energieeinsparung in einer breiten Palette von Hochspannungsanwendungen bei.

IGBT
Feldstopp-Trench-IGBT

Feldstopp-Trench-IGBT (111)

Produkte von ROHM weisen dank der Trench-Gate- und Dünnwafer-Technologie aus Eigenentwicklung ein niedriges Vce(sat) und geringe Schaltverluste auf.

Zündungs-IGBT (7)

ROHMs Zündungs-IGBTs für Kraftfahrzeuge sind äußerst zuverlässige Produkte, die sowohl ein niedriges Vce(sat) als auch einen hohen Stoßentladungsstrom erreichen.

IGBT-Bare-Die (29)

Die IGBTs von ROHM tragen dazu bei, einen höheren Wirkungsgrad und Energieeinsparungen für ein breites Spektrum von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.
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