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SiC-Leistungsmodul
SiC-Leistungsmodule sind energiesparende, umweltfreundliche Bauelemente, die mehrere Verbesserungen gegenüber herkömmlichen Produkten bieten. Sie nutzen Energie und Ressourcen effektiv und reduzieren den kostspieligen Stromverbrauch bei gleichbleibender oder steigender Leistungsfähigkeit. Zum Beispiel ist der Schaltverlust in Voll-SiC-Leistungsmodulen, die SiC-MOSFETs und SBDs integrieren, deutlich geringer als in gleichwertigen IGBT-Modulen auf Siliziumbasis.
Darüber hinaus unterstützen diese neuen SiC-Produkte im Gegensatz zu herkömmlichen Modulen den Hochfrequenzbetrieb oberhalb von 100kHz. Dies verbessert die Effizienz von Industrieanlagen wie Hochfrequenz-Stromversorgungen für Induktionsheizungen und hybride Energiespeichersysteme.
ROHM war das erste Unternehmen der Branche, das SiC-Leistungsbauelemente in Massenproduktion herstellte, die seither in einer Vielzahl von Bereichen, einschließlich Industrie-, Automobil-, Eisenbahn- und Unterhaltungselektronik, eingesetzt werden. Und aufgrund ihrer überlegenen Stabilität bei hohen Spannungen werden SiC-Leistungsmodule von ROHM in Hochleistungs-Pulsplasmageneratoren von Kurita Seisakusho eingesetzt, die ein Reaktionsfeld von bis zu 200 kHz liefern, um die Kundenanforderungen besser zu unterstützen, was nur durch SiC möglich ist.
neues TRCDRIVE pack™ mit 2-in-1 SiC-Modulen
TRCDRIVE pack™ ist ein Markenzeichen für SiC-Module von ROHM, die speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen entwickelt wurden und deren Größe durch eine einzigartige Struktur zur Maximierung der Wärmeableitfläche reduzieren. Die Integration von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation mit niedrigem Einschaltwiderstand führt zu einer branchenführenden Leistungsdichte, die 1,5 Mal höher ist als bei herkömmlichen SiC-Modulen. Gleichzeitig trägt sie erheblich zur Miniaturisierung von Wechselrichtern für xEVs bei.
* TRCDRIVE pack™ sind Marken oder eingetragene Marken von ROHM Co., Ltd.
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