BSM180D12P2C101
SiC-Leistungsmodul

Das Halbbrückenmodul besteht aus SiC-DMOSFETs von ROHM.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BSM180D12P2C101
Status | Aktiv
Gehäuse | C
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
Gehäusetyp | Tray
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

204

Total Power Dissipation[W]

1360

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Package Size [mm]

122x45.6 (t=17.5)

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Eigenschaften:

・Leistungsmodul nur SiC MOSFET
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit und geringe Schaltverluste
・Zuverlässigkeit der Body-Diodenleitung
・Geringe Qrr und trr der Body-Diode

Evaluation
Board

 
    • Drive Board
    • AgileSwitch 2ASC-12A1HP / EDCA2

    • BSM series (1200V, C type)
      Core Driver : 2ASC-12A1HP
      Adapter Board : EDCA2

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    • Drive Board
    • BSMGD3C12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

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    • TAMURA 2DU series

    • For BSM series (1200V, C / E / G type)

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