BSM180D12P2C101
SiC-Leistungsmodul
BSM180D12P2C101
SiC-Leistungsmodul
Das Halbbrückenmodul besteht aus SiC-DMOSFETs von ROHM.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
204
Total Power Dissipation[W]
1360
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
Half-bridge
Package Size [mm]
122.0x45.6 (t=17.5)
Eigenschaften:
・Leistungsmodul nur SiC MOSFET・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit und geringe Schaltverluste
・Zuverlässigkeit der Body-Diodenleitung
・Geringe Qrr und trr der Body-Diode
Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit
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- Drive Board - BSMGD3C12D24-EVK001
This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.
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- Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH26
Snubber Module for BSM series (1200V, C type)
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- Drive Board - TAMURA 2DU series
Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)