BSM180D12P2C101
SiC-Leistungsmodul
BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101
SiC-Leistungsmodul
Das Halbbrückenmodul besteht aus SiC-DMOSFETs von ROHM.
Data Sheet
Kaufen
*
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
204
Total Power Dissipation[W]
1360
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package
Half bridge
Package Size [mm]
122x45.6 (t=17.5)
Eigenschaften:
・Leistungsmodul nur SiC MOSFET・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit und geringe Schaltverluste
・Zuverlässigkeit der Body-Diodenleitung
・Geringe Qrr und trr der Body-Diode
Evaluation
Board
-
- Drive Board
- AgileSwitch 2ASC-12A1HP / EDCA2
BSM series (1200V, C type)
Core Driver : 2ASC-12A1HP
Adapter Board : EDCA2
-
- Drive Board
- BSMGD3C12D24-EVK001
This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.
-
- Snubber Module
- MGSM1D72J2-145MH26
BSM series (1200V, C type)
-
- Drive Board
- TAMURA 2DU series
For BSM series (1200V, C / E / G type)