ROHM Product Detail

BSM180D12P2C101
SiC-Leistungsmodul

Das Halbbrückenmodul besteht aus SiC-DMOSFETs von ROHM.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BSM180D12P2C101
Status | Aktiv
Gehäuse | C Type
Gehäusetyp | Tray
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

204

Total Power Dissipation[W]

1360

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Half-bridge

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

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Eigenschaften:

・Leistungsmodul nur SiC MOSFET
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit und geringe Schaltverluste
・Zuverlässigkeit der Body-Diodenleitung
・Geringe Qrr und trr der Body-Diode

Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit

 
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    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

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