SiC-MOSFET

SiC-MOSFETs eliminieren den Tail-Strom während des Schaltens, was zu einem schnelleren Betrieb, geringeren Schaltverlusten und erhöhter Stabilität führt. Der geringere Durchlasswiderstand und die kompakte Chipgröße führen zu einer verringerten Kapazität und Gate-Ladung. Darüberhinaus weist SiC hervoragende Materialeigenschaften auf, wie die minimale Zunahmen des Durchlasswiderstands, und ermöglicht eine größere Gehäuseminiaturisierung und Energieeinsparungen als Silizium- (Si-) Bauelemente, bei denen sich der Durchlasswiderstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

ROHM hat kürzlich seine SCT-Serie von SiC-MOSFETs der 3. Generation mit Trench-Gate-Typ vorgestellt. Diese in 6 Varianten (650V/1200V) erhältlichen MOSFETs weisen einen um ca. 50% geringeren Durchlasswiderstand als die planaren Typen der 2. Generation auf, wodurch sie sich ideal für große Server-Stromversorgungen, USV-Systeme, Solarstromumrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge eignen, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Die SCT3-Serie wird in einem 4-poligen Gehäuse (TO-247-4L) angeboten, das die Schaltleistung maximiert. Dies reduziert die Schaltverluste um bis zu 35% gegenüber herkömmlichen 3-Pin-Gehäusetypen und trägt so zu einem geringeren Stromverbrauch in einer Vielzahl von Anwendungen bei.

Im Gegensatz zu herkömmlichen SiC-MOSFETs im 3-Pin-Gehäuse, bei denen die Gate-Spannung aufgrund der Induktivitätskomponente des Source-Anschlusses abfällt und dadurch die Schaltgeschwindigkeit verzögert wird, enthält dieses neue 4-Pin-Gehäuse einen vom herkömmlichen Source-Anschluss getrennten Source-Anschluss für den Gate-Treiber, der diese Verringerung der Gate-Spannung minimiert und somit eine Maximierung der Schaltleistung ermöglicht.

In der verarbeitenden Industrie verbessert der MOSFET SCT2080KE von ROHM den Wirkungsgrad von Impulsgeneratoren, indem er eine steile Anstiegszeit liefert, die die Produktivität erhöht.
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