SCT4013DR
750V, 13mΩ, 4-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid(SiC) Leistungs-MOSFET
SCT4013DR
750V, 13mΩ, 4-Pin THD, Trench-Struktur, Siliziumkarbid(SiC) Leistungs-MOSFET
Der SCT4013DR ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum geringen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen Durchlasswiderstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Es ist ein 4-Pin-Gehäusetyp mit einem Driver-Source-Anschluss, der die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung maximieren kann, die ein Merkmal von SiC-MOSFETs ist.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation
Diese Serie hat einen um 40 % geringeren Durchlasswiderstand und einen um 50 % geringeren Schaltverlust im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Design der Anwendung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
13
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
105
Total Power Dissipation[W]
312
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x23.45 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Reference Design / Application Evaluation Kit
-
- Evaluation Board - P05SCT4018KR-EVK-001
- This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KR", surely TO-247-4L can also be evaluated
- Single power supply(+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
- Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
- Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
- Gate surge clamp circuit
