IPDs
Intelligente Leistungsschalter aus der IPD-Serie (Intelligent Power Device) von ROHM sind als Low-Side- oder High-Side-Schalt-ICs erhältlich, um Ihnen das richtige Bauteil für Ihre Anwendung zu liefern. Das Design dieser Universal-Schalter für die Automobilindustrie integriert einen MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und mehrere Schutzschaltungen auf einem einzigen Chip. Dies bietet einen verbesserten Schutz gegen Fälle von Überhitzung, Überspannung, Überstrom und Lastkurzschluss und gewährleistet die Eignung für eine Vielzahl industrieller Anwendungen, einschließlich widerstandskapazitätsbezogener induktiver Last, die in Maschinenräumen und -abteilen installiert sind.
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| Family | Function | Generation | RDS (ON) (Typ.)[mΩ] | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 8-25 | 40-90 | 160-250 | 300- | ||||
| High Side | Current Sense | 2nd Gen | 1 Product | ||||
| 3rd Gen (1ch) | Under Development | 3 Products | |||||
| 3rd Gen (2ch) | Under Development | ||||||
| Standard / Error Flag | 2nd Gen (1ch) | 4 Products | |||||
| 2nd Gen (2ch) | 1 Product | ||||||
| Variable Overcurrent Limit | 2nd Gen (1ch) | 2 Products | |||||
| 2nd Gen (2ch) | 3 Products | ||||||
| Low Side | Standard / Error Flag | 2nd Gen (1ch) | 4 Products | 4 Products | 4 Products | ||
| 2nd Gen (2ch) | 4 Products | 4 Products | |||||
| Slew Rate Control | 2nd Gen | 1 Product | |||||
| Multi Channel | 2nd Gen | 6 Products | |||||
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Unterstützende Informationen
IPD Functions
Current SenseHigh accuracy output current monitor
1ch/2ch High Side Switch
BV1HBxxxEFJ-C(1ch) / (Under Development)BV2HBxxxEUV-C(2ch)
Variable Overcurrent LimitOptimal protection tailored to the load
Slew Rate ControlReduces switching loss and noise
Multi ChannelIdeal for driving multiple loads
Regarding TDACC™
TDACC™ is a registered trademark of ROHM Co., Ltd. ROHM’s original circuit and device technology achieves both heat suppression and low ON resistance by optimally controlling the number of current-carrying channels when the power MOSFETs in the IPD generate heat due to back EMF during the OFF state, which is difficult to achieve in a compact size.
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