Gate-Treiber für GaN

ROHMs Gate-Treiber für GaN wurden entwickelt, um die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung von GaN-Bauteilen zu maximieren. Nicht nur in Kombination mit den GaN-Bauelementen von ROHM, sondern auch in Kombination mit den Bauelementen anderer Unternehmen kann die Leistung des Bauelements vollständig maximiert werden, was zu einer höheren Effizienz und einer geringeren Größe der Anwendungen beiträgt.

Ultra-high-speed Gate Driver IC for GaN HEMT Drive (Single-channel) - BD2311NVX-LB