ROHM Product Detail

SCT4013DE
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET mit 750V, 105A, 3-Pin THD und Trench-Struktur

SCT4013DE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen Durchlasswiderstand ohne Einbußen bei der Kurzschlussfestigkeit erreicht.

Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT4013DEC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247N
Gehäusetyp | Tube
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 10 Years

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

13

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

105

Total Power Dissipation[W]

312

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit

 
    • Evaluation Board - P04SCT4018KE-EVK-001
      • This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KE", surely TO-247N can also be evaluated
      • Single power supply(+12V operation)
      • Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
      • Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
      • Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
      • Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
      • Gate surge clamp circuit

  • User's Guide
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