SCT4062KW7
Silizium-Karbid (SiC) MOSFET mit 1200V, 24A, 7-Pin SMD und Trench-Struktur

Der SCT4062KW7 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.

Vorteile von ROHMs SiC MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT4062KW7TL
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-263-7L
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

62

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

24

Total Power Dissipation[W]

93

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.2x15.4 (t=4.7)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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