SCT4018KE
Silizium-Karbid (SiC) MOSFET mit 1200V, 81A, 3-Pin THD und Trench-Struktur
SCT4018KE
Silizium-Karbid (SiC) MOSFET mit 1200V, 81A, 3-Pin THD und Trench-Struktur
SCT4018KE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen On-Widerstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
81
Total Power Dissipation[W]
312
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Reference Design / Application Evaluation Kit
-
- Evaluation Board - P04SCT4018KE-EVK-001
- This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KE", surely TO-247N can also be evaluated
- Single power supply(+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
- Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
- Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
- Gate surge clamp circuit
