SCT4018KE
Silizium-Karbid (SiC) MOSFET mit 1200V, 81A, 3-Pin THD und Trench-Struktur

SCT4018KE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen On-Widerstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen.

Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.

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Produktdetails

 
Teilenummer | SCT4018KEC11
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-247N
Einheitenmenge | 450
Minimale Gehäusemenge | 30
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 10 Years

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

18

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

81

Total Power Dissipation[W]

312

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Reference Design / Application Evaluation Kit

 
    • Evaluation Board - P04SCT4018KE-EVK-001
      • This board is designed with the optimum gate drive circuit for "SCT4018KE", surely TO-247N can also be evaluated
      • Single power supply(+12V operation)
      • Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
      • Supports various power supply topologies(Buck, Boost, Half-Bridge)
      • Built-in adjustable gate drive isolated power supply(positive and negative)(+12V to +25V, -4.5V to -2V)
      • Active mirror clamp circuit(driver IC built-in type)
      • Gate surge clamp circuit

  • User Guide
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