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- The ground isolation of The upper device can only guarantee The dielectric withstand voltage - A floating power supply is required for series gate voltages - When connected in series, since The temperature coefficient of The on resistance is positive, in order to prevent thermal runaway it is necessary to consider sufficient derating - taking into account product variations - When used as A single high voltage switch in series it is recommended to implement appropriate voltage dividing measures such as inserting A large resistance in parallel - The switch timing must be matched to prevent destruction due to breakdown voltage
Das liegt an den verschiedenen Betriebstemperaturen. Bei Modulen beträgt die Sperrschichttemperatur Tj 150 °C und die Gehäusetemperatur Tc 60 °C, während bei MOSFETs Tj 175 °C und Tc 25 °C beträgt.
Obwohl es keine speziellen Richtlinien gibt, ist zu beachten, dass die Länge der Drähte vom Gate-Anschluss zum PC-Anschluss der Gate-Treiberschaltung den größten Einfluss hat. Außerdem muss die Induktivität der Verdrahtung vom Source-Stift der Komponente zur Erdungsfläche der Platine berücksichtigt werden.
Bei Body-Dioden in SiC-MOSFETs, die aus einer pn-Sperrschicht bestehen, ist die Lebensdauer des Minoritätsladungsträgers niedrig. Dadurch lässt sich der Aufladungseffekt des Minoritätsladungsträgers nur schwer erkennen, wodurch eine extrem kurze Sperrverzögerungszeit (mehrere zehn ns) erzielt wird, die der von SBDs entspricht. Zudem ist die Sperrverzögerungszeit konstant und ähnlich wie bei SBDs (wenn dI/dt konstant ist) unabhängig vom Durchlassstrom.
Die Bandlücke bei SiC ist dreimal größer als die bei Silizium. Dadurch kommt es bei der pn-Diode zu einem Spannungsanstieg von 3 V und somit zu einem relativ starken Abfall der Durchlassspannung. Da es jedoch aufgrund des Gate-EIN-Signals bei der Kommutierung zu Rückströmen in der Brückenschaltung usw. kommen kann, sollte es in stabilem Zustand nicht zu erheblichen Verlusten kommen.
Zu den Vorteilen der Trench-Ausführungen gehören 1) ein niedrigerer Einschaltwiderstand, 2) eine geringere parasitäre Kapazität und 3) eine verbesserte Schaltleistung. Ein Nachteil ist jedoch die geringere Kurzschlusstoleranz, die auf den niedrigeren Einschaltwiderstand zurückzuführen ist.
Da die Diode intern angeschlossen ist, lassen sich die Eigenschaften nicht extern isolieren. Da die Durchlassspannung der SiC-SBD gering ist, fließt der Durchlassstrom innerhalb des normalen Betriebsbereichs nur durch den SiC-SBD. Daher können die Eigenschaften von If-Vf und Sperrstrom als Teil der Eigenschaften der SiC-SBD gesehen werden.
Die freigelegten Metallbereiche (Kühlkörper auf der Rückseite des Gehäuses und blanke Metallteile an der Kerbung) sind am gleichen Potenzial wie der Drain-Ausgang angeschlossen. Daraus ergibt sich, dass bei Produkten, die auf der Gehäuserückseite mit einem Kühlkörper ausgestattet sind, der Kriechweg möglicherweise unzureichend ist. Deshalb muss der Anwender die Richtlinien zum Kriechweg einhalten und dabei die Betriebsbedingungen berücksichtigen.
Die Betriebsprüfumgebung ist kompatibel mit 1) SIMetrix, 2) LTSpice, 3) OrCAD und anderer PSpice-Software. Hspice funktioniert möglicherweise nicht, da sie keine Hyperbelfunktionen unterstützt.