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Wie lauten die Temperaturbedingungen für die Angaben der Durchbruchspannung von SiC MOSFETs?
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FAQ's
Wie lauten die Temperaturbedingungen für die Angaben der Durchbruchspannung von SiC MOSFETs?
Raumtemperatur (Ta = 25 °C).
Beachten Sie, dass der Ableitstrom und die Durchbruchspannung bei hohen Temperaturen leicht ansteigen können.
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Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
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SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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