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Die Bandlücke bei SiC ist dreimal größer als die bei Silizium. Dadurch kommt es bei der pn-Diode zu einem Spannungsanstieg von 3 V und somit zu einem relativ starken Abfall der Durchlassspannung. Da es jedoch aufgrund des Gate-EIN-Signals bei der Kommutierung zu Rückströmen in der Brückenschaltung usw. kommen kann, sollte es in stabilem Zustand nicht zu erheblichen Verlusten kommen.
