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Warum haben bei SiC-Produkten diskrete Halbleiter und Modulhalbleiter unterschiedliche Drain-Source-Nennströme?
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FAQ's
Warum haben bei SiC-Produkten diskrete Halbleiter und Modulhalbleiter unterschiedliche Drain-Source-Nennströme?
Das liegt an den verschiedenen Betriebstemperaturen.
Bei Modulen beträgt die Sperrschichttemperatur Tj 150 °C und die Gehäusetemperatur Tc 60 °C, während bei MOSFETs Tj 175 °C und Tc 25 °C beträgt.
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