Warum haben bei SiC-Produkten diskrete Halbleiter und Modulhalbleiter unterschiedliche Drain-Source-Nennströme?|FAQ|ROHM Semiconductor

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Warum haben bei SiC-Produkten diskrete Halbleiter und Modulhalbleiter unterschiedliche Drain-Source-Nennströme?

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Warum haben bei SiC-Produkten diskrete Halbleiter und Modulhalbleiter unterschiedliche Drain-Source-Nennströme?
- Das liegt an den verschiedenen Betriebstemperaturen.
  Bei Modulen beträgt die Sperrschichttemperatur Tj 150 °C und die Gehäusetemperatur Tc 60 °C, während bei MOSFETs Tj 175 °C und Tc 25 °C beträgt.

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