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Bei Body-Dioden in SiC-MOSFETs, die aus einer pn-Sperrschicht bestehen, ist die Lebensdauer des Minoritätsladungsträgers niedrig. Dadurch lässt sich der Aufladungseffekt des Minoritätsladungsträgers nur schwer erkennen, wodurch eine extrem kurze Sperrverzögerungszeit (mehrere zehn ns) erzielt wird, die der von SBDs entspricht. Zudem ist die Sperrverzögerungszeit konstant und ähnlich wie bei SBDs (wenn dI/dt konstant ist) unabhängig vom Durchlassstrom.
