Diode mit kurzer Erholungszeit (Fast Recovery Diode) (entspricht AEC-Q101) - RFN10NS3SFH | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd. - germany

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Diode mit kurzer Erholungszeit (Fast Recovery Diode) (entspricht AEC-Q101) - RFN10NS3SFH

ROHM's schnelle Freilaufdioden sind extrem schnell, haben niedriges VF und eignen sich für die signifikante Effizienzsteigerung des Schaltnetzteils sowie die Verringerung von Schaltverlusten.

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Gehäuse

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Teilenummer | RFN10NS3SFHTL

Status | Active

Gehäuse | TO-263S(D2PAK)

Einheitenmenge | 1000

Minimale Gehäusemenge | 1000

Gehäusetyp | Taping

RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101

Package Code

TO-263S(D2PAK)

Package(JEITA)

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

VRM[V]

350

Reverse Voltage VR[V]

350

Average Rectified Forward Current IO[A]

10.0

IFSM[A]

100.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

1.5

IF @ Forward Voltage [A]

10.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

350

trr(Max.)[ns]

IF @ trr [mA]

500

IR @ trr [A]

1.0

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・Typ Power Mold
・Sehr geringe VF, extrem schnelles Schalten und geringe Schaltverluste

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