RF081MM2S
Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit

RF081MM2S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RF081MM2STR
Status | Empfohlen
Gehäuse | PMDU
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

SOD-123FL

Package(JEITA)

SC-109B

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

200

Reverse Voltage VR[V]

200

Average Rectified Forward Current IO[A]

0.8

IFSM[A]

20.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.95

IF @ Forward Voltage [A]

0.8

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

200

trr(Max.)[ns]

25

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1.6x3.5 (t=0.9)

Eigenschaften:

· Niedrige Durchlassspannung
· Niedriger Schaltverlust