Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RF601BM2D | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd. - germany - Rohm.com

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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RF601BM2D

RF601BM2D ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

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Gehäuse

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Teilenummer | RF601BM2DTL

Status | Active

Gehäuse | TO-252

Einheitenmenge | 2500

Minimale Gehäusemenge | 2500

Gehäusetyp | Taping

RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252(DPAK)

Package(JEITA)

SC-63

Package Size[mm]

6.6x10.0(t=2.2)

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

VRM[V]

200

Reverse Voltage VR[V]

200

Average Rectified Forward Current IO[A]

6.0

IFSM[A]

60.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.93

IF @ Forward Voltage [A]

3.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

200

trr(Max.)[ns]

IF @ trr [mA]

500

IR @ trr [A]

1.0

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

Gemeinsame Kathode Dual-Typ
Geringer Schaltverlust
Niedrige Durchlassspannung

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TEILENUMMER RF301BGE2S	Datenblatt
Product Series Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit
Anfrage

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