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Superschnelle Diode mit kurzer Erholungszeit - RFU02VSM8S

RFU02VSM8S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RFU02VSM8STR
Status | Active
Gehäuse | TUMD2SM
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOD-323HE

Package Size[mm]

2.5x1.4(t=0.6)

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

800

Reverse Voltage VR[V]

800

Average Rectified Forward Current IO[A]

0.2

IFSM[A]

1.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

3.0

IF @ Forward Voltage [A]

0.2

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current [V]

800

trr(Max.)[ns]

35

IF @ trr [mA]

100

IR @ trr [A]

0.1

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・Klein und geformt
・Umschalten mit Höchstgeschwindigkeit