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SiC weist das Zehnfache der Durchbruchfeldstärke von Silizium auf, wodurch die Durchbruchspannungen im vierstelligen Volt-Bereich liegen. Außerdem ist der Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit deutlich niedriger, was zu entsprechend geringeren Leistungsverlusten führt. Um den Anstieg des Einschaltwiderstands, der mit höherer Durchbruchspannung einhergeht, zu minimieren, werden vornehmlich IGBTs verwendet. SiC zeichnet sich zudem durch eine ausgezeichnete Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung aus.
