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Die Auswirkungen von parasitärer Kapazität und Induktivität auf der Platine können als eine Art LC-Resonanz angesehen werden. Überprüfen Sie die folgenden Punkte: 1) Anschluss des externen Widerstands an die Gate-Treiberschaltung 2) Ausgangskapazität der Gate-Treiberschaltung 3) Parasitäre Induktivität der Verkabelung der Gate-Treiberschaltung 4) Gate-Kapazität des SiC-MOSFET 5) Interner Gate-Widerstand des SiC-MOSFET usw. Bei geringem Widerstand erhöht sich der Spitzenwert der Unter-/Überschwingung und die Abklingzeit des Nachschwingens verlängert sich. Bei hoher Kapazität nimmt der Spitzenwert ab, wodurch die Umschaltgeschwindigkeit reduziert wird. Durch eine höhere Induktivität steigt die Induktanz an.
