FAQ's
  • Warum tritt ein Unter-/Überschwingen des Gate-Signals auf, während der SiC-Halbleiter angesteuert wird?
    • Die Auswirkungen von parasitärer Kapazität und Induktivität auf der Platine können als eine Art LC-Resonanz angesehen werden. Überprüfen Sie die folgenden Punkte:
      1) Anschluss des externen Widerstands an die Gate-Treiberschaltung
      2) Ausgangskapazität der Gate-Treiberschaltung
      3) Parasitäre Induktivität der Verkabelung der Gate-Treiberschaltung
      4) Gate-Kapazität des SiC-MOSFET
      5) Interner Gate-Widerstand des SiC-MOSFET usw.
      Bei geringem Widerstand erhöht sich der Spitzenwert der Unter-/Überschwingung und die Abklingzeit des Nachschwingens verlängert sich.
      Bei hoher Kapazität nimmt der Spitzenwert ab, wodurch die Umschaltgeschwindigkeit reduziert wird.
      Durch eine höhere Induktivität steigt die Induktanz an.
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