Warum ist der interne Gate-Widerstand eines SiC-MOSFET größer als der eines herkömmlichen Si-MOSFET?|FAQ|ROHM Semiconductor

FAQ's

Warum ist der interne Gate-Widerstand eines SiC-MOSFET größer als der eines herkömmlichen Si-MOSFET?
- Rg ist umgekehrt proportional zur Chipgröße. Nimmt die Chipgröße ab (z. B. durch Verwendung von SiC), steigt Rg also an.
  Zudem verwenden wir einen Werkstoff mit hohem Flächenwiderstand für die Gate-Elektrode.
  Der Anschluss eines externen Gate-Widerstands von 0 Ω an die Gate-Treiberschaltung sollte unproblematisch sein, aber Faktoren wie die Stromkapazität des Treibers und Überspannung müssen beachtet werden.