GNE1040TB
EcoGaN™, 150 V, 10 A, DFN5060, E-mode Gallium-Nitrid (GaN) HEMT
GNE1040TB
EcoGaN™, 150 V, 10 A, DFN5060, E-mode Gallium-Nitrid (GaN) HEMT
Der GNE1040TB ist ein 150-V-GaN-HEMT mit 8 V Gate-Source-Spannung. Er gehört zur EcoGaN™-Serie, die durch die optimale Nutzung des niedrigen Durchlasswiderstands und des Hochgeschwindigkeitsschaltens zur Effizienz der Leistungsumwandlung und zur Verringerung der Größe beiträgt. Der Wirkungsgrad der Stromversorgung beträgt 96,5 % oder mehr, selbst im Hochfrequenzbereich von 1 MHz. Darüber hinaus bieten die äußerst vielseitigen Gehäuse eine hervorragende Wärmeableitung und erleichtern die Bestückung. Looking for the Gate Driver inspiring GaN HEMT performance? → Gate-Treiber für GaN
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
150
IDS [A]
10
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
40
Qg [nC]
2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
Eigenschaften:
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
Referenzdesign / Anwendungsevaluierungskit
-
- Reference Design - REFLD002
- Laser Driver Reference Design with GaN HEMT for High-Resolution LiDAR
The range of uses for LiDAR sensors is expanding to include not only autonomous driving, but also applications in the industrial and infrastructure fields. LiDAR sensors are required to have longer sensing distance and higher resolution, and in addition to improving the characteristics of the laser diode, it is necessary to drive the laser diode at higher speeds and power. ROHM offers a lineup of 905nm high power narrow emission width laser diodes. (RLD90QZWx Series) Reference designs are available that includes EcoGAN™, a next-generation device capable of high-speed drive, along with a high-speed gate driver for GaN HEMTs that contribute to improved LiDAR sensor characteristics (distance and resolution) .
- Enables high-speed driving of laser diodes - a key device in LiDAR applications
- Includes next-gen EcoGaN™ devices
- Built-in high-speed gate driver for GaN HEMTs (BD2311NVX-C)
- Two circuit types: square wave and resonant
Produktvideo & Katalog
