GNP3120TEC-Z (In Entwicklung)
EcoGaN™, 650 V 16 A DFN8080CK, E-Mode-Galliumnitrid (GaN) HEMT
GNP3120TEC-Z (In Entwicklung)
EcoGaN™, 650 V 16 A DFN8080CK, E-Mode-Galliumnitrid (GaN) HEMT
Der GNP3120TEC-Z ist ein 650 V-GaN HEMT mit Anreicherungsmodus. Er eignet sich für Anwendungen wie Hochfrequenz-Schaltwandler und Hochdichte-Wandler. Als Teil der EcoGaN™-Produktreihe von ROHM nutzt dieses Produkt die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung von GaN, um den Stromverbrauch der Anwendung zu senken, periphere Komponenten zu verkleinern und den Konstruktionsaufwand sowie die Anzahl der Komponenten zu reduzieren, wodurch es zu energiesparenden und kompakten Systemdesigns beiträgt.
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
16
VGS Rating [V]
7
RDS(on) [mΩ]
120
Qg [nC]
2.1
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Eigenschaften:
- 650 V E-Mode-GaN HEMT
- 120 mΩ Widerstand
- 2,1 nC Gate-Ladung
- HBM ESD Klasse 1C (JEDEC-Standard)
