GNP3290TJ-Z (In Entwicklung)
EcoGaN™, 650V 6A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitrid(GaN) HEMT
GNP3290TJ-Z (In Entwicklung)
EcoGaN™, 650V 6A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitrid(GaN) HEMT
Der GNP3290TJ-Z ist ein 650V GaN HEMT mit Anreicherungsmodus. Er ist für Anwendungen wie Hochfrequenzwandler und Hochdichtewandler geeignet. Als Teil der ROHM EcoGaN™-Produktreihe nutzt dieses Produkt die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung von GaN, um den Stromverbrauch der Anwendung zu reduzieren, Peripheriekomponenten zu verkleinern und den Designaufwand sowie die Anzahl der Komponenten zu minimieren, was zu energiesparenden und kompakten Systemdesigns beiträgt.
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Produktdetails
Spezifikationen:
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
7
RDS(on) [mΩ]
290
Qg [nC]
1.3
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
6.6x10.1 (t=2.38)
Eigenschaften:
- 650V E-Mode-GaN-HEMT
- 290mΩ Widerstand
- 1,3nC Gate-Ladung
- HBM ESD Klasse 1C (JEDEC-Standard)
