GaN-Leistungsbauelemente

GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das in Leistungsgeräten der nächsten Generation verwendet wird. Es wird zunehmend eingesetzt aufgrund seiner gegenüber Silizium-Bauelementen überlegenen Eigenschaften wie z. B. den hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften.
Aufgrund der besseren Schalteigenschaften und des geringeren Durchlasswiderstands als bei Silizium-Bauelementen ist zu erwarten, dass GaN-Bauelemente zu einem niedrigeren Stromverbrauch und einer stärkeren Miniaturisierung verschiedener Stromversorgungen sowie zur Miniaturisierung von Peripheriekomponenten beitragen werden.

ROHM continues to improve device performance through its EcoGaN™ lineup of GaN devices that contributes to greater energy application savings and miniaturization. While developing ROHM products, we will also promote joint development through strategic partnerships to contribute to solving social issues by making applications more efficient and compact.
* EcoGaN™ is a trademark or registered trademark of ROHM Co., Ltd.