5 µs Kurzschluss-Toleranz, 650V 10A, eingebaute FRD, TO-220NFM, Feldstopp-Trench-IGBT - RGT20TM65D

Der RGT20TM65D ist ein Fieldstop-Trench-IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, der für allgemeine Wechselrichter, USVs, Leistungskonditionierer und Schweißgeräte geeignet ist.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RGT20TM65DGC9
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-220NFM
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 50
Gehäusetyp | Tube
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

6

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

104

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

25

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant